BC技術(shù)中HoFCVD的顛覆性應(yīng)用示例
- 分類：技術(shù)服務(wù)
- 作者：Haibin Huang
- 來源：
- 發(fā)布時間：2025-07-18
- 訪問量：0
【概要描述】
BC技術(shù)中HoFCVD的顛覆性應(yīng)用示例
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漢可公司基于熱絲CVD(HoFCVD)的鍍膜原理，開發(fā)了一系列適用于背接觸(BC)太陽電池鍍膜用的HoFCVD裝備。在此基礎(chǔ)上成功開發(fā)了低溫（室溫~200℃）制備高質(zhì)量i-a-Si:H、n/p-a-Si:H、SiNx:H、SiNxOy:H、SiOx:H薄膜技術(shù)，并將之應(yīng)用于BC電池的前、后表面的鈍化、減反射和封裝。
具體對于BC電池迎光表面或背光面，可以實現(xiàn)在一臺設(shè)備上，通過連續(xù)腔體，在不破真空的情況下實現(xiàn)以下復(fù)合膜層的制備：
1. 鈍化減反射復(fù)合膜層：低溫SiNx:H、SiNxOy、SiOx:H薄膜。
2. 場鈍化膜層+鈍化減反射復(fù)合結(jié)構(gòu)膜層：
(1) i-a-Si:H+SiNx:H
(2) i-a-Si:H+n-a-Si:H+SiNx:H
HoFCVD制備SiNx:H、SiNxOy:H薄膜，具有如下特點：
① 低溫制備（室溫~200℃，高溫亦適用）
② 致密性好
③ 耐腐蝕性好
④ 防水汽、氣體侵蝕能力強
⑤ 覆形能力好（適合絨面或凹凸面）
⑥ 鈍化效果好：無等離子體損傷（在砷化鎵、氮化鎵芯片上已經(jīng)取代PECVD）
性能方面，漢可HoFCVD與PECVD相比具有如下優(yōu)勢：
成本方面，漢可HoFCVD與PECVD相比，成本可降至PECVD的50%以下，甚至更低。
除了制備低溫本征/摻雜a-Si:H、SiNx:H、SiNxOy:H和SiOx:H膜外，HoFCVD還可以制備p型或n型的μc-Si或poly-Si等薄膜。目前，漢可HoFCVD制備的膜層種類及應(yīng)用領(lǐng)域如下表所示：
由于HoFCVD無繞鍍、無粉塵、低溫制備，特別適用于在圖形化結(jié)構(gòu)表面制備保形薄膜。隨著更多行業(yè)伙伴的加入，一定可以擴大其應(yīng)用范圍，為光伏電池效率提升、產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級貢獻更多的力量。
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